垂直腔面发射激光器新型结构的特性比较

• 作者: 廉鹏 朱文军 沈光地 邹德恕 郭霞 高国
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多有源区 隧道再生 VCSELs DBR反射率
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 325-327
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.1
• 字数: 1685字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3806.2003.04.011

摘要

通过对一种微分量子效率可以大于1的新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,以及由此设计出的阈值电流更小、输出功率更大的器件与普通结构在反射率及注入电流都相同的条件下输出功率大小的比较及阈值电流密度大小的比较,从而在理论上证实了这种VCSELs新型结构的优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	郭霞	北京工业大学光电子技术实验室	54	397	11.0	16.0
3	邹德恕	北京工业大学光电子技术实验室	58	270	10.0	12.0
4	朱文军	北京工业大学光电子技术实验室	13	32	3.0	5.0
5	高国	北京工业大学光电子技术实验室	22	459	8.0	21.0
6	廉鹏	北京工业大学光电子技术实验室	15	86	6.0	8.0