稀土离子在CdSiO3基质中的多光色长余辉发光

• 作者: 刘应亮 叶泽人 石春山 雷炳富
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 化学
• 关键词: 偏硅酸镉 稀土离子 发光材料 长余辉发光
• 年，卷（期）: 2003,（19）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 2038-2041
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 字数: 3781字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2003.19.007

摘要

利用高温固相法合成了系列稀土离子掺杂的CdSiO3:RE3+(RE=Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu)多光色长余辉磷光体.XRD分析结果表明在1050℃下烧结3小时的产物为单相.稀土掺杂CdSiO3磷光体具有良好的发光性能.引入Y3+,La3+,Gd3+,Lu3+以及Ce3+,Nd3+,Ho3+,Er3+,Tm3+,Yb3+可获得一个最大发射中心位于420 nm附近的缺陷发光宽带,引入Pr3+,Sm3+,Eu3+,Tb3+,Dy3+时,除了产生约420 nm的蓝紫色缺陷发光外同时产生很强的稀土离子特征发光,这两种发光混合导致不同的余辉颜色.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘应亮	暨南大学化学系	144	1932	24.0	36.0
2	石春山	中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理重点实验室	44	1071	17.0	32.0
3	雷炳富	中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理重点实验室	14	378	10.0	14.0
7	叶泽人	中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理重点实验室	11	256	9.0	11.0