单晶硅中离子注入及快速热退火后浓度分布模型

• 作者: 周会 田强 郭慧民
• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 快速热退火 工艺模型
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 325-329
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 2574字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2003.03.007

摘要

在考虑B,P,As离子注入单晶硅中的浓度分布模型的基础上,讨论了快速热退火对3种注入离子浓度分布的影响,提出了3种离子在快速热退火后浓度分布的修正模型.由修正后的模型得到的多次离子注入模拟结果与实验结果符合很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田强	北京师范大学物理学系	81	389	11.0	16.0
2	郭慧民	北京师范大学低能核物理研究所	3	3	1.0	1.0
3	周会	北京师范大学物理学系	4	8	2.0	2.0