CeO2掺杂对Nb-TiO2系压敏陶瓷电性能的影响

• 作者: 尧巍华 庄严 张中太 李红耘 熊西周 罗绍华
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 压敏电阻 微观结构 电性能
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 23-25
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2383字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2003.07.008

摘要

在x(CeO2)为0～1.5%的范围内改变其掺杂浓度,研究了CeO2添加剂对TiO2压敏陶瓷电性能的影响.电性能测量和扫描电镜观察的结果表明:在Nb-TiO2系压敏陶瓷中,CeO2的主要作用是促使微观结构的均匀化,与Ti、Si固溶形成第二相,提高非线性,同时第二相的浓度对压敏电压的高低起着决定性作用.当x(CeO2)为0.4%时,可以得到晶粒大小均匀,瓷体结构致密,压敏电压约为15 V/mm及其它综合指标优良的低压压敏电阻.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄严		22	166	7.0	11.0
2	李红耘		12	105	8.0	10.0
3	罗绍华	清华大学材料科学与工程系	19	346	10.0	18.0
4	尧巍华	清华大学材料科学与工程系	11	134	8.0	11.0
5	张中太	清华大学材料科学与工程系	85	2496	24.0	48.0
6	熊西周		11	102	8.0	10.0