可控硅励磁装置异常损坏原因分析及改进方案

• 作者: 张华龙 张向东 李英
• 来源期刊: 山西电力
• 学科: 工学
• 关键词: 励磁装置 整流变压器 可控硅 导通角 PN结结温
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 10-13
• 页数: 4页
• 分类号: TN344
• 字数: 4454字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-0320.2003.02.003

摘要

针对同步电动机可控硅励磁装置整流变压器二次电压过高,迫使可控硅在小导通角状态下工作,引起可控硅管芯PN结结温超过额定结温,导致可控硅和控制电路频繁损坏的问题,进行了深入的分析,并提出了有效的解决方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张向东		44	238	8.0	13.0
2	张华龙		3	64	2.0	3.0
3	李英		3	64	2.0	3.0