压阻加速度计的Au-Si共晶键合

• 作者: 张大成 李修函 李婷 杜先锋 王小保 王玮 王翔 阮勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金 硅 共晶键合 压阻式加速度计
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 332-336
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 2753字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.03.019

摘要

通过将压阻加速度计上帽与结构片的键合(365℃保温10min),再进行下帽与结构片的键合(380±10℃保温20min),成功进行了三层键合.测得的键合强度约为230MPa.硅片-基体/SiO2/Cr/Au层和硅片之间键合时,SiO2溶解而形成CrSi2硅化物.共晶反应因Cr层而被推迟,键合温度高出共晶温度20℃左右,从而避免了由于Au元素向硅中扩入而造成的污染,进而避免可能造成的对集成微电子器件性能的影响.试验还证明硅基体-SiO2/Cr/Au/Poly-Si/Au键合层结构设计模型也遵循这一键合过程中的原子扩散理论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玮	北京大学微电子学研究所	61	390	12.0	17.0
2	张大成	北京大学微电子学研究所	43	793	13.0	27.0
3	李婷	北京大学微电子学研究所	44	616	13.0	23.0
4	王小保	北京大学微电子学研究所	4	25	2.0	4.0
5	王翔	北京大学微电子学研究所	36	280	11.0	15.0
6	阮勇	北京大学微电子学研究所	6	52	3.0	6.0
7	杜先锋	北京大学微电子学研究所	2	34	2.0	2.0
8	李修函	北京大学微电子学研究所	1	22	1.0	1.0