超薄W-Si-N 作为铜与硅之间的扩散阻挡层

• 作者: 屈新萍 李炳宗 王光伟 茹国平 陆华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: W-Si-N 扩散阻挡层 热稳定性 铜互连
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 612-616
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.54
• 字数: 3382字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.06.010

摘要

研究了W-Si-N三元化合物对铜的扩散阻挡特性.在Si(100)衬底上用离子束溅射方法淀积W-Si-N,Cu/W-Si-N薄膜,样品经过高纯氮气保护下的快速热退火,用俄歇电子能谱原子深度分布与X射线衍射以及电流-电压特性测试等方法研究了W-Si-N薄层的热稳定性与对铜的阻挡特性.实验分析表明W-Si-N三元化合物具有较佳的热稳定性,在800℃仍保持非晶态,当W-Si-N薄层的厚度仅为6nm时,仍能有效地阻挡铜扩散.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王光伟	复旦大学微电子学系	4	26	2.0	4.0
2	茹国平	复旦大学微电子学系	21	95	5.0	9.0
3	屈新萍	复旦大学微电子学系	19	84	5.0	8.0
4	李炳宗	复旦大学微电子学系	21	90	5.0	9.0
5	陆华	复旦大学微电子学系	6	46	4.0	6.0