一种高性能的新结构IGBT

• 作者: 亢宝位 刘兴明 吴郁 李俊峰 王哲 程序 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 缓冲层 深穿通 NPT-IGBT 透明发射区
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 586-591
• 页数: 6页
• 分类号: TN323+.4
• 字数: 513字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.06.005

摘要

提出了一种低功率损耗的新结构IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构,该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分.虽然在正常工作条件下,该新结构IGBT工作于穿通状态,但器件仍具有非穿通IGBT(NPT-IGBT)的优良特性.该新结构IGBT具有比NPT-IGBT更薄的芯片厚度,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷.实验结果表明:与NPT-IGBT相比较,新结构IGBT的功率损耗降低了40%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子中心	122	412	10.0	12.0
2	吴郁	北京工业大学电子工程系	38	215	9.0	13.0
3	亢宝位	北京工业大学电子工程系	28	291	10.0	16.0
4	王哲	北京工业大学电子工程系	13	60	4.0	7.0
5	程序	北京工业大学电子工程系	9	81	4.0	9.0
6	李俊峰	中国科学院微电子中心	29	122	7.0	9.0
7	刘兴明	北京工业大学电子工程系	1	10	1.0	1.0