相变光盘介电层ZnS-SiO2薄膜的性能研究

• 作者: 刘波 干福熹 阮昊
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnS-SiO2 介电层 相变光盘
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 190-194
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 1830字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2003.01.030

摘要

利用AFM、XRD、TEM、紫外可见光谱仪和椭偏仪等多种研究手段研究了ZnS-SiO2薄膜的性能.研究表明,沉积态ZnS-SiO2薄膜为非晶态,表现为层核生长型(Straski-Krastanov型)结构,表面很平滑,其中包含着大小为2～10nm的微小晶粒;ZnS-SiO2薄膜的透过率比较大,消光系数很小,这可以减少入射激光能量的损失;ZnS-SiO2薄膜拥有比较高的折射率,能够对记录层起到很好的保护作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	干福熹	中国科学院上海光学精密机械研究所	288	2527	23.0	29.0
2	刘波	中国科学院上海光学精密机械研究所	266	2712	24.0	39.0
3	阮昊	中国科学院上海光学精密机械研究所	40	336	7.0	17.0