P型(掺硼)晶硅太阳电池的光衰减机制和技术改进措施

• 作者: 赵玉文
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: P型(掺硼)c-Si太阳电池 光衰减 退火处理 少子寿命
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 409-411
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2017字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2003.04.019

摘要

介绍了近年来对掺硼晶硅(Cz-Si和mc-Si)太阳电池的光照衰减问题及衰减机制的研究结果.通过光照及退火处理前后少子寿命变化的研究以及光衰减与硼和氧浓度关系的研究,表明引起掺硼晶硅太阳电池光照衰减的主要因素是硼和间隙氧的存在.同时介绍了减小或避免衰减的技术措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵玉文		10	518	8.0	10.0