长庆油田H井区储层低电阻率成因机理分析

• 作者: 刘复屏
• 来源期刊: 测井技术
• 关键词: 孔喉结构 束缚水饱和度 矿化度 低电阻率油层
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 处理解释
• 页码范围: 513-515
• 页数: 3页
• 分类号: TE2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1338.2003.06.016

摘要

通过对长庆油田H井区正常油区与低电阻率油区的实验资料、电性资料、试油结果的分析对比,确定了形成低电阻率的主要因素是高总孔隙度、高含水饱和度,为低电阻率储层测井解释提供参考依据.为考查高总孔隙度、高含水饱和度对电阻率的影响,根据实验结果分别选取一个正常油区和低电阻率油区的孔隙度和含水饱和度值.经计算可知,高总孔隙度和高含水饱和度可使电阻率下降12.73 Ω·m.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘复屏	中国石油测井有限公司长庆事业部	7	22	3.0	4.0