用多孔硅作牺牲层制备硅基电容式微传声器

• 作者: 刘忠立 刘焕章 宁瑾 葛永才
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基电容式微传声器 多孔硅 牺牲层 聚酰亚胺
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 页码范围: 187-191
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 3081字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.z1.042

摘要

提出了一种新的硅基电容式微传声器的制备方法,即采用多孔硅牺牲层技术制备声学孔,采用聚酰亚胺膜作声学振膜.采用该方法制备出的电容式微传声器器件,开路灵敏度为-107.8dB,在400～10kHz之间,频率响应较为平坦,可以实现语音通信.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘焕章	中国科学院半导体研究所微电子中心	71	1282	19.0	34.0
2	刘忠立	中国科学院半导体研究所微电子中心	77	412	12.0	14.0
3	宁瑾	中国科学院半导体研究所微电子中心	13	44	4.0	6.0
4	葛永才	中国科学院半导体研究所微电子中心	5	17	3.0	4.0