自由电子激光辐照半导体多量子阱的研究

• 作者: 张国庆 张猛 李永贵 林理彬 邹睿
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光技术 量子阱 自由电子激光辐照 低温光荧光谱 红移
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 激光应用
• 页码范围: 852-854
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.6|O472+.3
• 字数: 1686字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2003.09.019

摘要

利用低温光荧光谱研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响.用波长为8.92 μm,光功率密度相应于电场强度为20 kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60 min,发现量子阱特征峰797 nm经过辐照后峰值发生红移至812 nm,波形展宽,峰高降低.对此结果进行了讨论,并与电子辐照的情况做了比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林理彬	四川大学物理系	90	605	13.0	20.0
2	邹睿	四川大学物理系	8	23	3.0	4.0
3	张猛	四川大学物理系	8	4	1.0	2.0
4	张国庆	中国科学院高能物理所	30	176	9.0	12.0
5	李永贵	中国科学院高能物理所	18	41	3.0	5.0