面向对注氢硅片中微结构的影响

• 作者: 周旗钢 屠海令 张果虎 王敬 肖清华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 面向 氢 离子注入 氢致缺陷
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1285-1288
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 3070字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.12.011

摘要

把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子.