热壁外延生长GaAs薄膜的结构特征

• 作者: 吴长树 施光顺 林理彬 涂洁磊 章晨静 陈庭金
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 GaAs薄膜 Si或SnO2/glass衬底
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: TK51
• 字数: 1950字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2003.01.004

摘要

该文介绍以Si和SnO2/glass两种材料为衬底,采用热壁外延方法,制得GaAs多晶薄膜.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析薄膜的结构情况.结果表明该薄膜表面呈绒面结构、其晶粒为柱状结构,初步证明这种GaAs多晶薄膜有希望成为新一代廉价、高效太阳电池的候选材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈庭金	云南师范大学太阳能研究所	42	351	10.0	17.0
2	章晨静	云南师范大学太阳能研究所	4	7	2.0	2.0
3	吴长树	云南师范大学太阳能研究所	3	5	1.0	2.0
4	施光顺	云南师范大学太阳能研究所	1	5	1.0	1.0