原位合成增强体TiB层错的透射电镜分析

• 作者: 吕维洁 吴人洁 张小农 张荻 覃业霞
• 来源期刊: 上海交通大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 原位合成 钛基复合材料 TiB 堆垛层错
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 一般工业技术
• 页码范围: 245-247
• 页数: 3页
• 分类号: TB331
• 字数: 1465字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-2467.2003.02.026

摘要

利用透射电镜和高分辨率透射电镜研究了原位合成钛基复合材料增强体TiB的堆垛层错结构.结果表明,堆垛层错容易在TiB的(100)面上形成,平行于TiB的生长方向[010],并贯穿整个增强体.堆垛层错在TiB形核与长大的过程中形成,并且与增强体TiB的B27晶体结构有关.由于TiB的B27结构,在(100)面上容易形成B原子的不足而导致原子错排,并且在(100)面上形成堆垛层错有利于减少增强体与基体合金之间的晶格畸变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴人洁	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	75	1776	26.0	39.0
2	张荻	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	157	1845	23.0	35.0
3	张小农	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	46	688	16.0	25.0
4	吕维洁	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	68	693	15.0	23.0
5	覃业霞	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	11	92	7.0	9.0