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摘要:
应用前馈神经网络解深亚微米MOSFETs反型层量子效应模型.此方法需要用神经网络解微分方程的特征值问题以及积分方程.首先以此方法解具有Morse势函数的Schrodinger方程来验证此方法的精度,然后,以此方法解Schrodinger方程和Poisson方程的近似模型--三角势阱模型.该方法易于实现,便于扩展到二维模型,方便模拟.
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文献信息
篇名 人工神经网络在解深亚微米MOSFETs反型层量子效应模型中的应用
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 量子效应 神经网络 特征值
年,卷(期) 2003,(7) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 680-686
页数 7页 分类号 TP183
字数 1416字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.07.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘伯安 清华大学微电子学研究所 16 65 5.0 7.0
2 周欣 清华大学微电子学研究所 19 114 5.0 10.0
3 林榕 清华大学微电子学研究所 3 7 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
量子效应
神经网络
特征值
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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