基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
推荐文章
4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型
4H-SiC
射频功率MESFET
I-V特性
解析模型
Vρ-I型不变凸多目标规划的最优性
V-ρI型不变凸函数
多目标函数
最优性
单电子晶体管I-V特性数学建模
单电子晶体管
数学模型
隧穿电流
跨导
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 YP-55H/i/V
来源期刊 数码 学科 工学
关键词 三星公司 MP3播放器 YP-55H/i/V 外观设计 功能设置 音乐效果 硬件配置
年,卷(期) 2003,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 82
页数 1页 分类号 TN912.231
字数 语种
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2003(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
三星公司
MP3播放器
YP-55H/i/V
外观设计
功能设置
音乐效果
硬件配置
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
数码
月刊
1671-797X
11-5507/TP
北京市万寿路翠微中里16号3号楼4层
出版文献量(篇)
6481
总下载数(次)
1
总被引数(次)
0
论文1v1指导