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摘要:
介绍了在硅基片上用钽溅射靶溅射沉积和用钽的化合物气相化学沉积钽基膜(金属钽、碳化钽、氮化钽、硅化钽、氮化硅化钽、氮化碳化钽)作为集成电路中防止铜向基片硅中扩散的阻挡层, 介绍了钽溅射靶的技术要求, 加工方法以及化学气相沉积钽基薄膜的方法.
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文献信息
篇名 钽在集成电路中的应用
来源期刊 稀有金属 学科 工学
关键词 阻挡层 钽溅射靶 化学气相沉积
年,卷(期) 2003,(1) 所属期刊栏目 综合评述
研究方向 页码范围 28-34
页数 7页 分类号 TG146.416
字数 7768字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0258-7076.2003.01.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 潘伦桃 10 63 4.0 7.0
2 吕建波 4 27 1.0 4.0
3 李海军 6 35 3.0 5.0
4 郑爱国 3 47 3.0 3.0
5 李彬 2 27 1.0 2.0
6 王秋迎 2 31 2.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
阻挡层
钽溅射靶
化学气相沉积
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