应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染

• 作者: 卢志恒 吴虎才 李晓民 李雪春 梁宏 罗晏 陈如意 马芙蓉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI材料 金属污染 感应耦合等离子体技术
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 813-816
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2775字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.08.007

摘要

研究了采用感应耦合等离子体-原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX-SOI材料过程中金属杂质污染的有效性.同时研究了采用强酸清洗、加SiO2膜覆盖等方法对降低污染程度的效果.利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样,检测结果是一种整体的平均效果.采用强流氧注入机进行高剂量氧注入,发现金属杂质污染元素主要是Al、Ar、Fe、Ni;注入后强酸清洗样品可有效降低Al污染;60nm厚的二氧化硅注入保护膜可阻挡一半的上述金属污染.