一种新型的红外成像材料

• 作者: 刘宁 童伟 蔡之让
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体-金属转变 超大电阻变化 电阻温度系数 红外成像系数 红外成像材料
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 页码范围: 101-104
• 页数: 4页
• 分类号: TM26
• 字数: 1756字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2003.02.004

摘要

基于超大磁阻(CMR)材料在绝缘体-金属转变(I-M)点附近的巨大电阻变化,本文研究了La位Gd掺杂对Lao.7xGdxSr0.3MnO3(x=0.20、0.30、0.40、0.50)电阻温度系数(TCR)的影响.实验结果表明:Gd掺杂将引起电阻率曲线的急剧变化,导致出现大的TCR;而且随Gd掺杂的增加,TCR在x=0.30出现峰值,然后随掺杂量增加逐步降低.大的代R行为将成为新型的红外成像材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	童伟	中国科学技术大学结构分析重点实验室	39	187	9.0	11.0
2	刘宁		96	760	15.0	23.0
6	蔡之让		3	3	1.0	1.0