电子束诱导非晶GaAs晶化的形核与长大

• 作者: 刘路 徐永波 李志成 贺连龙
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶GaAs 电子束辐照 结晶 原位观察
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 13-16
• 页数: 4页
• 分类号: TB383
• 字数: 2231字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2003.01.004

摘要

利用高分辨电子显微镜对电子束辐照诱发非晶GaAs晶化过程现象进行了原位观察.结果表明,具有几个原子大小的原子簇在辐照初期产生,并作为晶化的核心在随后的辐照过程中不断长大;大部分结晶晶粒保持相同的晶体取向,其余少量不同取向的晶粒也与前者保持孪晶关系.电子束辐照诱发非晶GaAs晶化的速率与电子束流密度有关;电子束辐照非晶GaAs结晶不是电子束诱发材料温度升高的结果,而与电子能量有关.本文对辐照晶化的机制和结晶过程进行了讨论.