变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究

• 作者: 仇志军 崔利杰 曾一平 朱战平 桂永胜 王保强 疏小舟 蒋春萍 褚君浩 郭少令
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 变缓冲层高迁移率晶体管 Shubnikov-de Hass 振荡
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2879-2882
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2414字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.11.040

摘要

在变缓冲层高迁移率晶体管(MM-HEMT)器件中,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象,结合变温度的Hall测量,系统研究了不同In组分沟道MM-HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明,沟道中In组分为0.65的样品,材料电学性能最好,In组分高于0.65的样品,严重的晶格失配将产生位错,引起迁移率下降,大大影响材料和器件的性能.