一种国产GaAs/Ge太阳电池的总剂量辐照特性

• 作者: 严荣良 任迪远 余学峰 艾尔肯 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 电子辐照 辐射损伤 光谱响应
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 697-699
• 页数: 3页
• 分类号: TN304|TM914.4
• 字数: 1793字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2003.09.012

摘要

对一种国产金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺制备的GaAs/Ge太阳电池进行了1MeV电子辐照损伤研究,讨论和分析了电池电参数和光谱响应的衰降规律和原因并与常规硅太阳电池作了比较.实验结果表明,GaAs/Ge电池与常规Si电池相比,不但转换效率高而且其抗辐射能力也比Si电池好.另外,带有AlxGa1-xAs窗口层的GaAs电池的辐射损伤机理与Si电池不同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严荣良	中国科学院新疆物理所	22	83	5.0	8.0
2	陆妩	中国科学院新疆物理所	42	320	11.0	16.0
3	郭旗	中国科学院新疆物理所	50	338	10.0	16.0
4	任迪远	中国科学院新疆物理所	59	375	11.0	16.0
5	艾尔肯	中国科学院新疆物理所	17	152	7.0	12.0
6	余学峰	中国科学院新疆物理所	19	125	7.0	10.0