氢气退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷的影响

• 作者: 余学功 李红 杨德仁 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氢退火 空洞型缺陷 氧外扩散
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 153-156
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 1782字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.02.009

摘要

研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷(voids)的影响.样品在1050～1200℃范围进行氢退火,退火前后样品上的流水花样缺陷(FPD)和晶体原生粒子(COP)在腐蚀后分别用微分干涉光学显微镜和激光记数器进行观察.实验结果表明在氢退火以后,FPD缺陷的密度随温度升高不变,而样品上的COP密度大量减少.分析可知,氢气退火仅仅消除了硅片表面的voids,而对于硅片体内的voids不产生影响,并在实验的基础上,讨论了氢退火消除voids的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	李红	浙江大学硅材料国家重点实验室	143	1487	21.0	32.0
5	余学功	浙江大学硅材料国家重点实验室	18	119	7.0	10.0