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摘要:
静电放电产生的电磁脉冲(ESD EMP)有上升沿陡、频带宽和峰值大等特点,对电子系统的干扰和破坏很大.为考察ESD EMP对电子系统的影响,对单片机系统进行了ESD EMP辐照效应实验,着重研究了单片机的外部数据存贮器RAM在其作用下的各种效应.在效应实验基础上研究了RAM的加固方法.
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强电磁脉冲对单片机系统的辐照效应实验研究
强电磁脉冲
单片机
辐照效应
电磁兼容
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 ESD EMP对RAM的辐照效应及加固方法研究
来源期刊 高电压技术 学科 地球科学
关键词 ESD EMP RAM 辐照实验 效应 加固
年,卷(期) 2003,(10) 所属期刊栏目 电磁兼容
研究方向 页码范围 41-43
页数 3页 分类号 O441.4|X837
字数 2305字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-6520.2003.10.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 侯民胜 47 317 11.0 15.0
2 许明辉 4 5 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
ESD EMP RAM 辐照实验 效应 加固
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高电压技术
月刊
1003-6520
42-1239/TM
大16开
湖北省武汉市珞瑜路143号武汉高压研究所
38-24
1975
chi
出版文献量(篇)
9889
总下载数(次)
24
总被引数(次)
181291
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