全耗尽CMOS/SOI工艺

• 作者: 刘新宇 刘洪民 吴德馨 和致经 孙海峰 扈焕章 海潮和 陈焕章
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 全耗尽CMOS/SOI工艺 氮化H2-O2合成薄栅氧 双栅 注Ge硅化物
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 104-108
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2775字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.01.021

摘要

对全耗尽CMOS/SOI工艺进行了研究,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/SOI抗辐照工艺.其关键工艺技术包括:氮化H2-O2合成薄栅氧、双栅和注Ge硅化物等技术.经过工艺投片,获得性能良好的抗辐照CMOS/SOI器件和电路(包括101级环振、2000门门海阵列等),其中,nMOS:Vt=0.7V,Vds=4.5～5.2V,μeff=465cm2/(V*s),pMOS:Vt=-0.8V,Vds=-5～-6.3V,μeff=264cm2/(V*s).当工作电压为5V时,0.8μm环振单级延迟为45ps.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子中心	141	717	13.0	18.0
2	海潮和	中国科学院微电子中心	72	277	9.0	13.0
3	吴德馨	中国科学院微电子中心	58	345	11.0	14.0
4	孙海峰	中国科学院微电子中心	10	45	4.0	6.0
5	陈焕章	中国科学院微电子中心	2	29	2.0	2.0
6	扈焕章	中国科学院微电子中心	2	29	2.0	2.0
7	和致经	中国科学院半导体研究所	36	229	9.0	13.0
8	刘洪民	中国科学院微电子中心	7	69	5.0	7.0