退火温度对硅基溅射银膜微结构和应力的影响

• 作者: 吴桂芳 孙兆奇 宋学萍 杨成浩 江兵
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 溅射镀膜 退火温度 薄膜应力 微结构
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 682-684
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 2414字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2003.06.027

摘要

用直流溅射法在硅(111)基底上制备银膜,膜厚为380nm.用BGS6341型电子薄膜应力分布测试仪对膜应力随退火温度的变化进行了研究,结果表明:膜应力随着退火温度的升高而增大,在400℃退火温度下膜应力变化明显.用MXP18AHF型X射线衍射仪测量了膜的衍射谱,对膜微结构随退火温度的变化进行了讨论.制备的Ag膜仍为面心立方结构,呈多晶状态,平均晶粒尺寸为23.63nm,薄膜晶格常数(0.40805nm)比标准样品晶格常数(0.40862nm)稍小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋学萍	安徽大学物理系	63	367	10.0	14.0
2	吴桂芳	安徽大学物理系	9	97	6.0	9.0
3	孙兆奇	安徽大学物理系	91	563	11.0	16.0
4	杨成浩	安徽大学物理系	1	10	1.0	1.0
5	江兵	安徽大学物理系	1	10	1.0	1.0