以低纯度Gd为原料制备Gd5Si1.85Ge2.15合金的磁热效应

• 作者: 万发荣 吴光恒 李丽辉 李春和 柳祝红 陈艳平 龙毅
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁热效应 一级磁性相变 磁制冷
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 1268-1270
• 页数: 3页
• 分类号: TG14
• 字数: 2396字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2003.12.007

摘要

研究了以低纯度蒸馏Gd为原料制备的Gd5Si1.85Ge2.15合金的磁性相变性质和磁热效应.蒸馏Gd的杂质含量为O: 0.0160% (质量百分数); C: 0.0054% (质量百分数); N: 0.0016% (质量百分数), 低于普通商用Gd, 高于高纯Gd.对Gd5Si1.85Ge2.15合金的X射线衍射和交流磁化率测试表明, Gd5Si1.85Ge2.15合金在253K存在一级磁性相变; 从磁性相变附近的磁化曲线结果得到的最大磁熵变化为12.5 J/kg@K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万发荣	北京科技大学材料学院	65	602	12.0	23.0
2	龙毅	北京科技大学材料学院	67	442	11.0	17.0
3	李春和	北京科技大学材料学院	7	74	4.0	7.0
4	柳祝红	中国科学院物理研究所磁学实验室	10	112	6.0	10.0
5	吴光恒	中国科学院物理研究所磁学实验室	41	256	9.0	14.0
6	陈艳平	北京科技大学材料学院	1	8	1.0	1.0
7	李丽辉	北京科技大学材料学院	5	14	2.0	3.0