二氧化硅上的铝金属化层失效模式分析

• 作者: 吴生虎
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化硅 金属化 失效模式 SIO2 铝金属 集成电路
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 页码范围: 52-53
• 页数: 2页
• 分类号: TN405

摘要

主要从SiO2的质量、铝金属化质量、电应力和热应力等诸多因素出发分析SiO2，表面上铝金属化层的失效模式。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴生虎	航天工业总公司半导体器件失效分析中心	4	0	0.0	0.0