光激发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化Ⅱ.Al2O3膜应力测量与分析

• 作者: D.R.Clarke 彭晓 王福会
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光激发荧光谱术,Al2O3,残余应力,磁控溅射Co Cr Al(Y),纳米涂层
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 页码范围: 1060-1064
• 页数: 5页
• 分类号: TG174.444
• 字数: 3364字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2003.10.010

摘要

用光激发荧光谱术分析测量磁控溅射Co-Cr-Al(Y)纳米涂层经1000,1100和1200℃氧化后Al2O3膜中的残余应力,获得如下结果:(1)残余应力随氧化温度升高而增大;(2)暂态氧化出现的区域应力值明显低于无暂态氧化的区域;(3)两种涂层1000℃下形成的氧化膜中的残余应力相差不大,但在1100和1200℃下,含Y涂层形成的氧化膜中的残余应力比不含Y中的高.对实验结果进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王福会	中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室	185	3078	28.0	48.0
2	彭晓	中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室	23	69	5.0	7.0