GaP1-xNx混晶的光致发光谱

• 作者: A.Mascarenhas 吕毅军 张勇 杜武青 辛火平 郑健生 高玉琳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaPN混晶 等电子陷阱 带隙弯曲 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 476-480
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 3121字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.05.006

摘要

通过GaP1-xNx(x=0.05%～3.1%)混晶的低温光致发光(PL)谱,探讨了N在不同组分GaNxP1-x混晶的发光特性中所起的作用.在低组分(x=0.05%～0.81%)下,GaNxP1-x的PL谱由NNi对及其声子伴线的发光组成;在高组分(x≥1.3%)下,NNi对之间相互作用形成的与N有关的杂质带导致了GaNxP1-x混晶的带隙降低.同时,在x=0.12%的GaNxP1-x中,得到了清晰的NN3零声子线及其声子伴线,从而直接证实了NN3具有与孤立N中心完全相似的声子伴线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高玉琳	厦门大学物理系	22	66	4.0	7.0
2	吕毅军	厦门大学物理系	26	77	4.0	8.0
3	郑健生	厦门大学物理系	17	28	4.0	4.0
4	张勇		5	3	1.0	1.0
5	A.Mascarenhas		2	1	1.0	1.0
6	辛火平	美国加利弗尼亚大学电机工程系	3	1	1.0	1.0
7	杜武青	美国加利弗尼亚大学电机工程系	3	1	1.0	1.0