2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计

• 作者: 张海清 章倩苓
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 2.5GHz LC VCO 相位噪声 增强型可变电容 片上集成螺旋电感
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1154-1158
• 页数: 5页
• 分类号: TN753.9
• 字数: 424字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.11.007

摘要

用0.35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2.5GHz LC VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/f噪声的影响.为了减少高频噪声的影响,采用了在片LC滤波技术.可变电容采用增强型MOS可变电容,取得了23%的频率调节范围.采用单个16边形的对称片上螺旋电感,并在电感下加接地屏蔽层,从而减少芯片面积,优化Q值.取得了在离中心频率1MHz处-118dBc/Hz的相位噪声性能.电源电压为3.3V时的功耗为4mA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章倩苓	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	72	481	12.0	17.0
2	张海清	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	6	28	4.0	5.0