GaN基材料半导体激光器综述

• 作者: 徐茵 秦福文 郎佳红 顾彪
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 半导体激光器 MOCVD 外延生长
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 综述、评述
• 页码范围: 321-324,327
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 4862字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3806.2003.04.003

摘要

叙述了激光器材料的发展,回顾了GaN薄膜制备的几个技术进展,总结了GaN基材料激光器(LDs)的发展历程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾彪	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	41	363	12.0	18.0
5	徐茵	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	26	207	8.0	13.0
9	郎佳红	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	5	56	4.0	5.0