SiH4-NH3-N2体系LPCVD氮化硅薄膜的研究

• 作者: 刘学建 蒲锡鹏 黄智勇 黄莉萍
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 低压化学气相沉积 氮化硅薄膜 化学组成 折射率
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 14-16
• 页数: 3页
• 分类号: TB43
• 字数: 1548字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2003.07.005

摘要

通过傅立叶红外光谱(FTIR)和X光电子能谱(XPS)研究了SiH4-NH3-N2体系在不同气体原料比情况下,低压化学气相沉积(LPCVD)SiNx薄膜的化学组成,利用原子力显微镜观察了SiNx薄膜的微观形貌,借助椭圆偏振仪研究了薄膜的折射率.结果表明:当原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)较小时(R<2),获得富Si的SiNx薄膜(x<1.33),折射率较高.当氨气远远过量时(R >4),获得近化学计量的的SiNx薄膜(x = 1.33),折射率处于1.95～2.00之间.在适当的工艺条件下,获得的SiNx薄膜H、O含量很低,薄膜表面均匀、平整.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄莉萍	中国科学院上海硅酸盐研究所	36	659	17.0	24.0
2	蒲锡鹏	中国科学院上海硅酸盐研究所	9	106	5.0	9.0
3	刘学建	中国科学院上海硅酸盐研究所	54	555	16.0	20.0
4	黄智勇	中国科学院上海硅酸盐研究所	11	239	8.0	11.0