退火对GaAs窗口晶体断裂模数的影响

• 作者: 屠海令 郑安生 黎建明
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 断裂模数 退火
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 849-851
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2798字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2003.06.042

摘要

LEC GaAs 晶片经高温退火后, 残余应力得以部分释放; 从而减小残余应力诱生断裂的可能性, 提高了GaAs晶体的断裂模数. 原生GaAs晶片加工的样品的断裂模数平均值约为135 MPa, 经退火的GaAs晶片加工样品的断裂模数平均值更高, 约为150 MPa, 断裂模数最高值达163 MPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	屠海令		42	224	8.0	12.0
2	郑安生		11	36	3.0	5.0
3	黎建明		14	61	5.0	7.0