极低频电磁场对小鼠脑和肝细胞凋亡及细胞周期的影响

• 作者: 刘赟 喻云梅 洪蓉 翁恩琪
• 来源期刊: 中华劳动卫生职业病杂志
• 学科: 生物学
• 关键词: 电磁场 细胞周期 凋亡
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 339-341
• 页数: 3页
• 分类号: Q64
• 字数: 2483字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3760/cma.j.issn.1001-9391.2003.05.007

摘要

目的研究极低频电磁场暴露对小鼠脑和肝细胞凋亡及细胞周期的影响.方法小鼠经50 Hz、0.2 mT或50 Hz、6.0 mT电磁场暴露2周,采用TUNEL法观察凋亡细胞,采用流式细胞术检测细胞凋亡率和细胞周期.结果0.2 mT和6.0 mT电磁场暴露后,脑细胞凋亡率分别为(5.60±1.47)%和(4.73±0.48)%,与对照组[(2.90±0.75)%]比较,差异有显著性(P＜0.05);肝细胞凋亡率分别为(4.19±2.08)%和(3.38±0.65)%,与对照组[(1.84±0.76)%]比较,差异亦有显著性(P＜0.05).脑细胞G0/G1期细胞百分率分别为(80.21±1.68)%和(79.54±0.56)%,肝细胞G0/G1期细胞百分率分别为(79.42±1.80)%和(80.47±1.79)%,与对照组[分别为(76.85±0.83)%、(73.36±3.10)%]比较,差异均有显著性(P＜0.05).与此同时,S期和G2+M期的细胞百分率明显下降.结论极低频电磁场暴露可能诱发小鼠脑和肝细胞周期改变,并可能进一步导致细胞凋亡.