磁控溅射法制备二氧化钒薄膜最佳参量的研究

• 作者: 刘金城 掌蕴东 王骐 田雪松 袁萍 贾晓玲 鲁建业
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 二氧化钒 制备参量
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 光电子学
• 页码范围: 65-67
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1427字
• 语种: 中文

摘要

用X射线电子能谱仪(XPS)对不同条件下用磁控溅射法制备的VO2薄膜进行测试,得到VO2薄膜内部组成成份的信息.研究了获得高含量VO2薄膜的最佳制备参量.同时还观察到V2O3、VO2、V2O5以接近含量共存的现象,这与以前研究所给出的薄膜几乎只由V2O3、VO2、V2O5中的两种组成的结论有所不同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王骐	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	256	2059	22.0	32.0
2	掌蕴东	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	37	374	11.0	18.0
3	刘金城	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	4	90	3.0	4.0
4	鲁建业	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	22	153	5.0	12.0
5	袁萍	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	20	236	9.0	15.0
6	田雪松	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	4	88	3.0	4.0
7	贾晓玲	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	5	59	4.0	5.0