络合法合成Sb掺杂SnO2(ATO)纳米粉体

• 作者: 张建荣 顾达 高濂
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: ATO 纳米粉体 络合物
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 923-928
• 页数: 6页
• 分类号: TB383
• 字数: 3146字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2003.04.035

摘要

采用非均相成核法,在晶种上以络合法均匀生长Sn,Sb混合金属氢氧化物,合成了纳米ATO导电粉体.以粉体电阻、粉体粒径为指标进行实验,得到了最佳络合剂.系统研究了合成条件如掺杂浓度,反应温度、pH值、配体/Sb比等对最终粉体导电性能的影响.以TG-DTA、XRD、TEM等手段研究了晶粒生长过程.结果表明粉体为四方金红石型结构,平均粒径为10 nm左右,粉体的团聚很少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建荣	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室	19	353	11.0	18.0
2	高濂	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室	165	5315	44.0	64.0
3	顾达	华东理工大学化学系	10	166	5.0	10.0