阵列化锰铜高压传感器的研制

• 作者: 周鸿仁 杜晓松 杨邦朝 段建华
• 来源期刊: 传感器技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锰铜传感器 熔融石英 后置式
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 设计与制造
• 页码范围: 27-29
• 页数: 3页
• 分类号: TP212
• 字数: 2585字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2003.10.009

摘要

通过传感器的结构设计、敏感材料和封装材料的研制以及采用新的传感器制备工艺,制作了一种新型的薄膜式锰铜传感器.采用熔融石英材料作为绝缘基板.在绝缘基板上沉积锰铜敏感薄膜.并在敏感薄膜的上面沉积SiO2封装层薄膜.根据"后置"式传感器由阻抗匹配原则,计算出铝靶板中的最高压力为51.68GPa,SiO2封装材料中的压力为35.396GPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜晓松	电子科技大学微电子与固体电子学院	61	434	12.0	16.0
2	杨邦朝	电子科技大学微电子与固体电子学院	253	3422	31.0	49.0
3	段建华	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	118	2.0	4.0
4	周鸿仁	电子科技大学微电子与固体电子学院	12	60	5.0	7.0