锑化铟薄膜磁阻式振动传感器

• 来源期刊: 传感器世界
• 学科: 工学
• 关键词: INSB-IN 共晶体薄膜 磁阻效应 振动传感器
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 页码范围: 6-8,23
• 页数: 4页
• 分类号: TP212.12
• 语种: 中文

摘要

该文设计的振动传感器是一种利用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻元件的磁阻效应的新型振动传感器.与用普通压电陶瓷片或电感线圈构成的振动传感器相比,这种传感器的灵敏度更高、频率响应范围更宽.经实测,其提供的电信号的信噪比大于60dB.这种振动传感器适用于物体振动检测、防盗报警、振动锁、运动控制开关、自动控制开关等.