裂解升温速率对聚碳硅烷先驱体转化制备Cf/SiC材料弯曲性能的影响

• 作者: 简科 郑文伟 陈国民 陈朝辉 马青松
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: Cf/SiC复合材料 聚碳硅烷 弯曲强度 界面
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 11-13
• 页数: 3页
• 分类号: TB323
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2003.11.003

摘要

以聚碳硅烷(PCS)/二乙烯基苯(DVB)为先驱体制备了3D-B Cf/siC复合材料,研究先驱体转化过程中不同裂解升温速率对材料力学性能的影响.结果表明:随着裂解升温速率的提高,材料致密度增加,界面结合变弱,从而陶瓷基复合材料的力学性能明显提高.以15℃/min裂解升温速率制得的陶瓷基复合材料的室温弯曲强度达到556.7MPa,1300℃真空下测试,材料的弯曲强度达到680.3MPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑文伟	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	84	1014	18.0	27.0
2	陈朝辉	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	167	1816	23.0	32.0
3	马青松	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	63	552	12.0	20.0
4	简科	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	38	247	9.0	14.0