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摘要:
从静电产生的机理和影响因素出发,阐明了静电的危害性,并提出了防止静电损害的措施.结果表明:CMOS集成电路的寿命显著提高.
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文献信息
篇名 CMOS集成电路静电损害及防护措施
来源期刊 机电工程技术 学科 工学
关键词 静电损害 接地 集成电路 静电消除
年,卷(期) 2003,(5) 所属期刊栏目 设计与应用
研究方向 页码范围 81-82
页数 2页 分类号 TN43
字数 1868字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1009-9492.2003.05.031
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵新民 湖南师范大学物理与信息科学学院 21 86 6.0 8.0
2 王玲 湖南师范大学物理与信息科学学院 93 523 12.0 18.0
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研究主题发展历程
节点文献
静电损害
接地
集成电路
静电消除
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
机电工程技术
月刊
1009-9492
44-1522/TH
大16开
广州市天河北路663号
46-224
1971
chi
出版文献量(篇)
11098
总下载数(次)
46
总被引数(次)
29526
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