超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO2的性能

• 作者: 宋志棠 林成鲁 沈勤我 章宁琳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超高真空电子束蒸发法 全耗尽SOI MOSFET 高k栅介质 ZrO2
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1099-1102
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1842字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.10.019

摘要

采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管(MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2薄膜.X射线光电子能谱(XPS)分析结果显示:ZrO2薄膜成分均一,为完全氧化的ZrO2,其中Zr∶O=1∶2.2,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空气中O2等杂质.扩展电阻法(SRP)和剖面透射电镜(XTEM)都表征出600℃退火样品清晰的ZrO2/top Si/BO/Si sub的结构,其中ZrO2/top Si界面陡直,没有界面产物生成.选区电子衍射显示薄膜在600℃快速退火后仍基本呈非晶态.研究了上述MOSOS结构的高频C-V性能,得到ZrO2薄膜的等效氧化物厚度EOT=9.3nm,相对介电常数ε≈21,平带电位VFB=-2.451eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林成鲁	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	44	595	15.0	23.0
2	宋志棠	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	51	197	8.0	12.0
3	沈勤我	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	12	41	3.0	5.0
4	章宁琳	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	6	59	3.0	6.0