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摘要:
提出了一种在标准数字CMOS工艺条件下,提高片上螺旋电感性能的实用方法,以及在缺少双层多晶硅电容的情况下,可以大大节约芯片面积的一种电容实现方法.介绍了这两种方法在电路设计中的一种应用,即利用0.35μm 1P4M标准数字CMOS工艺实现的、单片集成的LC压控振荡器.
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内容分析
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文献信息
篇名 标准数字CMOS工艺中LC谐振回路的改进和应用
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 片上电感 电容 LC谐振回路 压控振荡器
年,卷(期) 2003,(12) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1330-1334
页数 5页 分类号 TN753
字数 3273字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.12.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 洪志良 复旦大学微电子系 161 1248 18.0 29.0
2 王涛 复旦大学微电子系 84 468 10.0 19.0
3 朱臻 复旦大学微电子系 14 256 7.0 14.0
4 苏彦锋 复旦大学微电子系 12 135 7.0 11.0
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月刊
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