晶体硅中的铁沉淀规律

• 作者: H.J.Moeller 席珍强 杨德仁 汪雷 王晓泉 阙端麟 陈君
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 铁 沉淀 少数载流子
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1166-1170
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2420字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.11.009

摘要

研究了在直拉单晶硅和铸造多晶硅中经1100℃热处理快冷或慢冷条件下所形成的铁沉淀规律及其对少数载流子扩散长度的影响.红外扫描仪照片显示在直拉单晶硅中慢冷却形成的铁沉淀密度较低,而且其尺寸较大;在铸造多晶硅中,铁易在晶界上沉淀,沉淀规律也依赖于冷却速度.表面光电压仪测试结果表明:无论在直拉单晶硅材料中还是在铸造多晶硅材料中,快冷形成的铁沉淀对少数载流子扩散长度影响更大.实验结果可以用铁沉淀生成的热力学和动力学规律解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
3	汪雷	浙江大学硅材料国家重点实验室	41	646	13.0	25.0
4	席珍强	浙江大学硅材料国家重点实验室	22	539	13.0	22.0
5	陈君	浙江大学硅材料国家重点实验室	25	279	7.0	16.0
6	王晓泉	浙江大学硅材料国家重点实验室	7	165	5.0	7.0