SOI材料和器件及其应用的新进展

• 作者: 刘卫丽 张正选 林成鲁
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘层上的硅(SOI) 辐射 SOI产业化
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 658-663
• 页数: 6页
• 分类号: TN303
• 字数: 5545字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2003.09.003

摘要

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料的新结构包括不同绝缘埋层和不同半导体材料结构的最新进展,介绍了SOI器件的新结构和SOI器件在抗辐射电子学方面的应用,报道了国内在SOI技术的研发和产业化的最新动态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林成鲁	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	44	595	15.0	23.0
2	刘卫丽	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	14	52	4.0	6.0
3	张正选	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	20	56	4.0	6.0