含有2个五边形-七边形缺陷对的单壁碳纳米管的电学性能

• 作者: 张丽芳 梁君武 汪小知 胡慧芳
• 来源期刊: 中南工业大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳纳米管 拓扑缺陷 电子态密度 同质结 异质结
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 材料·冶金·化学
• 页码范围: 510-512
• 页数: 3页
• 分类号: O424.4
• 字数: 2866字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7207.2003.05.011

摘要

在紧束缚近似基础上,应用扩展的Su-Schriffer-Heeger(SSH)模型,在实空间研究了1根完整"之之"碳管管壁中沿周长方向并排引入2个五边形-七边形拓扑缺陷对所形成的同质结的电学性能;计算了(9,0)-(9,0)和(8,0)-(8,0)系统的电子态密度,对五边形-七边形缺陷对在碳管中沿轴向依次排列和沿周长方向并排放置时的电子态密度进行了比较.研究结果表明:五边形-七边形(5/7)拓扑缺陷对决定费米能级附近的电学行为;拓扑缺陷不同的分布与排列方式对碳管电学性能的影响有明显差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张丽芳	中南大学物理科学与技术学院	12	38	4.0	5.0
2	胡慧芳	湖南大学应用物理系	18	76	5.0	7.0
3	汪小知	中南大学信息科学与工程学院	2	3	1.0	1.0
4	梁君武	中南大学物理科学与技术学院	1	1	1.0	1.0