硅片直接键合杂质分布的模型与模拟

• 作者: 张佩君 黄庆安
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片直接键合 本征氧化层 扩散 微机电系统 功率器件
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 887-891
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2884字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.08.022

摘要

根据键合过程和半导体中杂质扩散的规律建立了硅片直接键合工艺的数学模型,得到了键合后硅片中杂质的浓度分布.并利用MATLAB软件,编写了键合工艺模拟程序,计算结果与实验进行了比较.该模型可以为相关器件的研究提供参考.