磁控溅射制备纳米TiO2薄膜导电性的研究

• 作者: 何志 李英爱 赵永年 陶艳春 顾广瑞
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 化学
• 关键词: TiO2薄膜 导电性 电阻率 界面电子转移
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 1381-1384
• 页数: 4页
• 分类号: O647
• 字数: 2243字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2003.06.040

摘要

研究了在纳米厚度范围内,TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99%)靶,通入Ar和O2的混合气体,制备了TiO2薄膜,薄膜膜厚15～225nm在室温下测量了不同厚度TiO2薄膜的电阻率,发现TiO2薄膜的导电性,先后在导体、半导体和绝缘体范围变化.这归因于基底材料与TiO2的功函数不同,导致了界面电子的转移,功函数差决定了电子转移的深度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾广瑞	吉林大学超硬材料国家重点实验室	26	115	5.0	10.0
3	陶艳春	吉林大学超分子结构和谱学开放实验室	18	99	5.0	9.0
4	赵永年	吉林大学超硬材料国家重点实验室	23	119	7.0	9.0
8	何志	吉林大学超硬材料国家重点实验室	12	86	6.0	9.0
9	李英爱	吉林大学超硬材料国家重点实验室	17	82	6.0	8.0